Рост пленок карбида кремния

Рост пленок карбида кремния

Эпитаксиальный рост пленок карбида кремния методом сублимации в вакууме и из газовой фазы. В последнее время значительно увеличилось количество работ по выращиванию эпитаксиальных пленок карбида кремния. Это вызвано тем, что существующий метод выращивания монокристаллов карбида кремния по способу Лели обладает плохой воспроизводимостью вследствие недостаточного контроля за ростом кристаллов. Известно, что карбид кремния обладает полиморфизмом, который проявляется в существовании двух модификаций — гексагональной и кубической. Известно, что карбид кремния обладает полиморфизмом, который проявляется в существовании двух модификаций — гексагональной и кубической.

Однако условия существования и роста той или иной модификации не изучены. На примере сульфидов цинка, кадмия и др. показано влияние химического состава пара и температуры на полиморфные превращения в процессе их выращивания. В работе отмечено влияние избыточного содержания кремния в газовой фазе на полиморфные превращения.

Следовательно, можно ожидать, что аналогичное явление будет наблюдаться при выращивании пленок карбида кремния из парогазовой фазы и методом сублимации, которые обеспечивают рост пленок аи р-модификаций. В качестве подложечного материала использовали кристаллы 6Н a-SiC, выращенные методом Лели.

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: