Степень локализации валентных электронов углерода

Степень локализации валентных электронов углерода

Согласно, скорость движения дислокаций в кристаллах мон жет быть определена как функция параметра а = (где Н — высота потенциального барьера Пайерлса-Набарро), т.е. этот параметр отражает жесткость кристаллической решетки по отношению к перемещению дислокаций и в свете рассматриваемых представлений параметр тем больше, чем выше степень локализации валентных электронов углерода в реконфигурации. При сопоставлении значения параметра а со значениями показателей Vo и а0, полученными экспериментально, видно, что между ними наблюдается качественная корреляция. Таким образом, полученные в работе критериальные значения микрохрупкости и хрупкой микропрочности карбидов выражают изменение степени пластичности в пределах исследованного класса материалов. Используя значения микротвердости, микрохрупкости и хрупкой микропрочности карбидов, полученные в работе, целесообразно проанализировать реальные служебные характеристики этих материалов.

Известно, что износостойкость карбидов при абразивном изнашивании и трении скольжения при низких температурах, а также их абразивная способность определяются их твердостью и хрупкостью. Известно, что износостойкость карбидов при абразивном изнашивании и трении скольжения при низких температурах, а также их абразивная способность определяются их твердостью и хрупкостью .

1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд (Еще не оценили)
Загрузка ... Загрузка ...

Оставить комментарий

Почта (не публикуется) Обязательные поля помечены *

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: